功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范：檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝運(yùn)輸儲(chǔ)存

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4 檢驗(yàn)方法

4.1 測(cè)試條件 

4.1.1 標(biāo)準(zhǔn)大氣條件 本標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的試驗(yàn)應(yīng)在 GB/T4937.1—2006中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行。 

4.1.2 加電工作條件 加電工作條件按規(guī)定。 

4.1.3 試驗(yàn)條件和方法 如無特殊規(guī)定,應(yīng)按照IEC60749規(guī)定的條件和方法進(jìn)行試驗(yàn),如經(jīng)試驗(yàn)證明由替代的方法進(jìn)行檢 驗(yàn)合格的產(chǎn)品用規(guī)定的方法檢驗(yàn)也合格,則也可以用替代方法檢驗(yàn)。 進(jìn)行探針測(cè)試時(shí),應(yīng)按SJ/T11399—2009中4.1的規(guī)定。 

4.2 結(jié)構(gòu) 

4.2.1 外形尺寸 按附錄 A 規(guī)定的方法進(jìn)行檢驗(yàn),使用準(zhǔn)確度符合要求的量具測(cè)量芯片的尺寸,應(yīng)符合3.2.2 的 規(guī)定。 

4.2.2 鍵合區(qū) 按附錄 A 規(guī)定的方法進(jìn)行檢驗(yàn),應(yīng)符合3.2.3的規(guī)定。 

4.3 外觀質(zhì)量 按附錄 A 規(guī)定的方法進(jìn)行檢驗(yàn),應(yīng)符合附錄 A 中的規(guī)定。 

4.4 光電特性 

4.4.1 正向電壓 按照SJ/T11394—2009中規(guī)定的方法測(cè)量正向電壓,應(yīng)符合3.4.2.1的規(guī)定。 

4.4.2 反向電流 按照SJ/T11394—2009中規(guī)定的方法測(cè)量反向電流,應(yīng)符合3.4.2.2的規(guī)定。 

4.4.3 光功率或光通量 按照SJ/T11399—2009中規(guī)定的方法測(cè)量光功率或光通量,應(yīng)符合3.4.2.3的規(guī)定。

4.4.4 主波長(zhǎng)或峰值發(fā)射波長(zhǎng) 按照SJ/T11394—2009中規(guī)定的方法測(cè)量主波長(zhǎng)或峰值發(fā)射波長(zhǎng),應(yīng)符合3.4.2.4的規(guī)定。

4.5 環(huán)境適應(yīng)性 

4.5.1 鍵合強(qiáng)度 鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)按IEC60749-22:2002的規(guī)定進(jìn)行,應(yīng)符合3.5.1的規(guī)定。 

4.5.2 剪切力 剪切力試驗(yàn)按IEC60749-19:2010的規(guī)定進(jìn)行,應(yīng)符合3.5.2的規(guī)定。 

4.5.3 溫度循環(huán) 溫度循環(huán)試驗(yàn)按 GB/T2423.22—2012的規(guī)定進(jìn)行,試驗(yàn)后符合3.5.3的規(guī)定。 

4.5.4 循環(huán)濕熱 循環(huán)濕熱試驗(yàn)按 GB/T2423.4—2008的規(guī)定進(jìn)行,試驗(yàn)后符合3.5.4的規(guī)定。 

4.5.5 恒定加速度(僅適用于空腔封裝器件) 恒定加速度試驗(yàn)按 GB/T2423.15—2008的規(guī)定進(jìn)行,試驗(yàn)后符合3.5.5的規(guī)定。 

4.6 電耐久性 施加規(guī)定的工作電壓,到規(guī)定的時(shí)間后,去掉工作電壓,試驗(yàn)后符合3.6的規(guī)定。 

4.7 靜電放電敏感度 按照SJ/T11394—2009中規(guī)定的方法進(jìn)行人體模式靜電放電敏感度和/或機(jī)器模式靜電放電敏感 度分級(jí)試驗(yàn),試驗(yàn)后性能參數(shù)符合詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。

5 檢驗(yàn)規(guī)則 

5.1 檢驗(yàn)職責(zé) 由鑒定機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)的試驗(yàn)室或承制方的檢驗(yàn)、試驗(yàn)部門負(fù)責(zé)執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的全部檢驗(yàn)。 

5.2 檢驗(yàn)分類 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的檢驗(yàn)分為: 

a) 篩選(見5.6); 

b) 鑒定檢驗(yàn)(見5.7); 

c) 質(zhì)量一致性檢驗(yàn)(見5.8)。 

5.3 批的組成 

5.3.1 晶圓批 從晶圓加工開始,經(jīng)受同一組工藝過程的晶圓構(gòu)成一個(gè)晶圓批。每個(gè)晶圓批應(yīng)給定一個(gè)能追溯到 所有晶圓加工步驟的識(shí)別代碼。 

5.3.2 檢驗(yàn)批 一個(gè)檢驗(yàn)批由同時(shí)提交檢驗(yàn)的一個(gè)或多個(gè)晶圓批中同一型號(hào)的芯片組成。

5.4 抽樣 鑒定檢驗(yàn)和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的抽樣應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定進(jìn)行。 

5.5 重新提交 當(dāng)提交鑒定檢驗(yàn)不符合要求時(shí),應(yīng)重新進(jìn)行鑒定檢驗(yàn)。當(dāng)質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的任一檢驗(yàn)批不符合要 求時(shí),應(yīng)進(jìn)行失效分析并確定失效機(jī)理。如確認(rèn)該失效是可以通過對(duì)整批晶圓的芯片重新篩選而有效 剔除的缺陷;或者該失效并不反映產(chǎn)品具有基本設(shè)計(jì)或基本生產(chǎn)工藝問題的缺陷,則允許對(duì)該分組采用 加嚴(yán)檢驗(yàn)(按雙倍樣品量及合格判定數(shù)為零的方案)重新提交一次。重新提交的批不得與其他的批相 混。如果失效分析表明失效是由于基本工藝程序不良、基本設(shè)計(jì)缺陷或是無法通過篩選剔除的缺陷,則 該批不得重新提交。 

5.6 篩選 在提交鑒定檢驗(yàn)和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)前,檢驗(yàn)批的全部芯片應(yīng)按表3的規(guī)定進(jìn)行篩選,篩選可在晶圓 上進(jìn)行,對(duì)不符合要求的芯片進(jìn)行標(biāo)識(shí),并在芯片分離時(shí)剔除。剔除的芯片不能作為合格產(chǎn)品交貨。 

表 3 篩選

5.7 鑒定檢驗(yàn) 鑒定檢驗(yàn)應(yīng)在鑒定機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)的試驗(yàn)室按表4、表5和表6規(guī)定的檢驗(yàn)項(xiàng)目和要求進(jìn)行。 

5.8 質(zhì)量一致性檢驗(yàn) 

5.8.1 通則 每一檢驗(yàn)批的芯片在交付前應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。質(zhì)量一致性檢驗(yàn)包括 A 組 檢驗(yàn)、B組檢驗(yàn)和 C組檢驗(yàn),A 組檢驗(yàn)和 B組檢驗(yàn)為逐批檢驗(yàn),C組檢驗(yàn)為周期檢驗(yàn)。在 C組檢驗(yàn)合格 的周期內(nèi),A 組檢驗(yàn)和 B組檢驗(yàn)合格的批可以交付,在 C 組檢驗(yàn)不合格的情況下應(yīng)停止交付,待按5.5 規(guī)定對(duì) C組重新檢驗(yàn)合格后方可恢復(fù)交付。 

5.8.2 A組檢驗(yàn) 從篩選合格的檢驗(yàn)批中隨機(jī)抽取芯片,按表4的規(guī)定進(jìn)行 A 組檢驗(yàn)。各分組的測(cè)試可按任意順序 進(jìn)行。

表 4 A組檢驗(yàn)(逐批)

5.8.3 B組檢驗(yàn) B組檢驗(yàn)按表5進(jìn)行。 從 A 組檢驗(yàn)合格批中隨機(jī)抽取芯片,按使用方認(rèn)可的標(biāo)準(zhǔn)封裝程序進(jìn)行封裝,首先將芯片安裝在 管殼的底座上并進(jìn)行引線鍵合,使裸露(未灌膠)的芯片形成導(dǎo)電和導(dǎo)熱通路,這樣的組裝半成品用于進(jìn) 行 B1分組和 B2分組檢驗(yàn),封裝成品進(jìn)行 B3分組和 B4分組檢驗(yàn)。 

表 5 B組檢驗(yàn)(逐批)

5.8.4 C組檢驗(yàn) 從B組檢驗(yàn)合格批中隨機(jī)抽取芯片,按使用方認(rèn)可的標(biāo)準(zhǔn)封裝程序進(jìn)行封裝。按表6進(jìn)行 C組檢 驗(yàn),C組檢驗(yàn)每6個(gè)月進(jìn)行一次。 

表 6 C組檢驗(yàn)(周期)

5.9 樣品處理 經(jīng)過 A 組檢驗(yàn)合格的樣品可以按合格產(chǎn)品交付,經(jīng)過 B 組和 C 組檢驗(yàn)的樣品不能按合格產(chǎn)品 交付。 

5.10 不合格 當(dāng)提交質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的任一檢驗(yàn)批不符合 A 組、B組或 C 組檢驗(yàn)中任一分組要求,且不再提交 或者不能再次提交時(shí),或者再次提交(見5.5)仍不合格時(shí),則判該批產(chǎn)品不合格。 

5.11 檢驗(yàn)記錄 篩選、鑒定檢驗(yàn)和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)記錄以及失效分析報(bào)告、不合格、重新提交及其他問題的處理記 錄至少保存5年。

6 包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存 

6.1 包裝 

6.1.1 包裝要求 產(chǎn)品包裝應(yīng)符合以下要求: 

a) 芯片應(yīng)按合同要求包裝,使用防靜電的包裝材料; b) 包裝(藍(lán))膜不得破損,(藍(lán))膜邊沿應(yīng)干凈,膜上應(yīng)無雜物顆粒和多余散亂的芯片; 

c) 被包裝芯片應(yīng)位于(藍(lán))膜中心,芯片數(shù)量和排列區(qū)域大小應(yīng)符合產(chǎn)品規(guī)格書要求;

d) 標(biāo)簽內(nèi)容應(yīng)準(zhǔn)確,參數(shù)等級(jí)應(yīng)符合產(chǎn)品規(guī)格書要求; 

e) 標(biāo)簽粘貼位置應(yīng)合適,標(biāo)簽應(yīng)完整、潔凈,標(biāo)簽字跡應(yīng)清晰,不得有涂抹、污染的現(xiàn)象。 

6.1.2 包裝上的標(biāo)志 芯片包裝上的標(biāo)志應(yīng)包括下列內(nèi)容: 

a) 芯片型號(hào)、規(guī)格及參數(shù); 

b) 詳細(xì)規(guī)范號(hào); 

c) 承制方名稱或商標(biāo); 

d) 檢驗(yàn)批識(shí)別代碼; 

e) 數(shù)量; 

f) ESDS等級(jí)標(biāo)志(見附錄 B,適用時(shí))。 

6.2 運(yùn)輸 芯片運(yùn)輸過程中應(yīng)避免受到高溫、潮濕、機(jī)械損傷、靜電放電和沾污。 

6.3 儲(chǔ)存 芯片應(yīng)儲(chǔ)存在10 ℃~30 ℃,相對(duì)濕度不大于30%的充氮干燥箱或干燥塔中。滿足該儲(chǔ)存條件的 芯片有效貯存期為12個(gè)月。