功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范：范圍、要求

時間：2021/07/23    點擊量：255

1. 范圍 本標準規(guī)定了功率半導體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品(以下簡稱芯片)的技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、 包裝、運輸和儲存等。 本標準適用于功率半導體發(fā)光二極管芯片。

2.規(guī)范性引用文件

3. 要求

 3.1 通則 

3.1.1 優(yōu)先順序 芯片應符合本標準和相關(guān)詳細規(guī)范的要求。本標準的要求與相關(guān)詳細規(guī)范不一致時,應以相關(guān)詳 細規(guī)范為準。 

3.1.2 對詳細規(guī)范的引用 本標準中使用“按規(guī)定”一詞而未指明引用的文件時,即指引用相關(guān)詳細規(guī)范。

3.2 材料和結(jié)構(gòu) 

3.2.1 材料 應采用能使芯片符合本標準性能要求的半導體材料,且所用材料在規(guī)定的試驗條件下,應無刮傷、 劃痕、翹曲等影響芯片貯存、工作和環(huán)境適應能力的缺陷。 

3.2.2 外形尺寸 芯片的外形尺寸應符合相關(guān)詳細規(guī)范的規(guī)定。

3.2.3 鍵合區(qū) 鍵合區(qū)的大小、位置、順序和電氣功能應符合相關(guān)詳細規(guī)范的規(guī)定。 

3.3 外觀質(zhì)量 芯片的外觀質(zhì)量應符合附錄 A 的規(guī)定。 

3.4 絕對最大額定值和特性 

3.4.1 絕對最大額定值 絕對最大額定值要求見表1。

表 1 絕對最大額定值

3.4.2 光電特性 芯片的光電特性應符合表2和相關(guān)詳細規(guī)范的規(guī)定。

表 2 光電特性

3.5 環(huán)境適應性 

3.5.1 鍵合強度 芯片鍵合后進行鍵合拉力試驗,鍵合拉力符合IEC60749-22:2002的規(guī)定。 

3.5.2 剪切力 將芯片粘接或共晶焊在支架上,進行剪切力試驗,剪切力符合IEC60749-19:2010的規(guī)定。 

3.5.3 溫度循環(huán) 將芯片進行封裝,按最低和最高貯存溫度進行溫度循環(huán)試驗,循環(huán)次數(shù)按規(guī)定。試驗后,性能參數(shù) 符合表6的規(guī)定。 

3.5.4 循環(huán)濕熱 將芯片進行封裝,進行循環(huán)濕熱試驗,試驗后,性能參數(shù)符合表6的規(guī)定。 

3.5.5 恒定加速度(僅適用于空腔封裝器件) 將芯片進行封裝,進行恒定加速度試驗,試驗后,性能參數(shù)符合表6的規(guī)定。 

3.6 電耐久性 將芯片進行封裝,按 GB/T4589.1—2006的3.10.2的規(guī)定,加電工作168h后,電性能符合表5的 規(guī)定;加電工作1000h后,電性能符合表6的規(guī)定。 

3.7 靜電放電敏感度(適用時) 按照SJ/T11394—2009中規(guī)定的方法進行人體模式靜電放電敏感度和/或機器模式靜電放電敏感 度試驗,分級標準見附錄 B。

附 錄 A (規(guī)范性附錄) 功率半導體發(fā)光二極管芯片的目檢

A.1 目的 檢驗功率半導體發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)和工藝質(zhì)量是否符合要求,發(fā)現(xiàn)和剔除有缺陷的芯片。 

A.2 設(shè)備 本檢驗所需設(shè)備包括具有規(guī)定放大倍數(shù)的光學儀器和作為目檢判據(jù)的標準樣品或圖樣、照片等,使 操作者能對受檢芯片的接收與否做出客觀的判斷。此外還需要有利于芯片檢查而又不使芯片受到損傷 的合適夾具。 

A.3 程序

 A.3.1 通則 

A.3.1.1 環(huán)境要求 芯片應在相對濕度45%~75%,溫度15 ℃~35 ℃的ISO8級的凈化環(huán)境及有相應級別靜電防護 條件的環(huán)境中進行目檢。 

A.3.1.2 放大倍數(shù) 除另有規(guī)定外,采用放大倍數(shù)20倍~40倍的單目、雙目或立體顯微鏡進行檢驗,操作人員使用不 損壞芯片的工具,在適當?shù)恼彰飨逻M行檢驗,以確定器件是否符合規(guī)定的要求。 

A.3.1.3 檢驗順序 承制方可自行安排檢驗順序。 

A.3.2 芯片檢驗 

A.3.2.1 概述 這些檢驗適用于正裝芯片的非同側(cè)電極結(jié)構(gòu)(見圖 A.1)、正裝芯片的同側(cè)電極結(jié)構(gòu)(見圖 A.2)、倒裝 芯片的同側(cè)電極結(jié)構(gòu)(見圖 A.3),對受檢芯片的正面、側(cè)面和背面進行檢驗。探針測試點不作為缺陷。 

圖 A.1 正裝芯片的非同側(cè)電極結(jié)構(gòu)示意圖

圖 A.2 正裝芯片的同側(cè)電極結(jié)構(gòu)示意圖 

圖 A.3 倒裝芯片的同側(cè)電極結(jié)構(gòu)示意圖

A.3.2.2 芯片缺損、裂紋及劃傷 芯片不得有明顯的缺角、裂紋、劃傷及氣泡。芯片不得有雙胞,不得有多出邊框的管芯等缺陷。劃 裂片不能傷至芯片金屬 P、N 電極或透明電極。

A.3.2.3 金屬化表面 芯片的金屬化表面應均勻、無變色,電極無蹺起或起皮,表面污染面積、刮傷、壓傷等應符合詳細規(guī) 范規(guī)定。 

A.3.2.4 外形尺寸 使用準確度符合要求的量具測量芯片的尺寸。 出現(xiàn)下列情況均為不合格: a) 芯片尺寸只有原來芯片面積90%以下; b) 帶有15%以上鄰近的芯片; c) 雖帶有15%以下鄰近芯片,但在鄰近芯片上可看見電極金屬化層; d) 厚度偏差超過規(guī)定值時。 

A.3.2.5 鍍層(金屬鍍層和介質(zhì)鍍層)缺陷 無論是芯片的正面還是背面,除非另有規(guī)定,鍍層脫落面積不應大于芯片面積的25%。 

A.3.2.6 多余物 芯片表面附著的多余物的各方向尺寸均不應大于25μm。

A.3.2.7 芯片排列 芯片排列出現(xiàn)表 A.1所述缺陷均為不合格。 表 A.1 芯片排列的缺陷示例

A.4 詳細規(guī)范中應規(guī)定的內(nèi)容 詳細規(guī)范中應規(guī)定以下內(nèi)容:

a) 放大倍數(shù); b) 芯片外形尺寸; c) 厚度偏差。

附 錄 B (規(guī)范性附錄) 人體模式和機器模式的靜電放電敏感度分級及標志 

人體模式靜電放電敏感度分級及標志見表 B.1。 

表 B.1 人體模式靜電放電敏感度分級及標志

機器模式靜電放電敏感度分級及標志見表 B.2。

表 B.2 機器模式靜電放電敏感度分級及標志